اخبار و مقالات :: فناوری اطلاعات و عمومی

حافظه های SSD اینتل با معماری سه بعدی و ظرفیت 10 ترابایت

۹۴۴ شماره اطلاع نامه : حافظه های SSD اینتل با معماری سه بعدی و ظرفیت 10 ترابایت ۱۳۹۳/۰۹/۰۸ حافظه های SSD اینتل با معماری سه بعدی و ظرفیت 10 ترابایت فناوری اطلاعات و عمومی :: اخبار و مقالات حافظه های SSD اینتل با معماری سه بعدی و ظرفیت 10 ترابایت

حافظه های SSD اینتل با معماری سه بعدی و ظرفیت 10 ترابایت

چندین سال است که محققان بر روی تراشه های سه بعدی NAND کار می کنند و کاملآ واضح است که برای افزایش ظرفیت حافظه های SSD نیاز به فناوری جدید 3D NAND خواهد بود. تا کنون تنها شرکت سامسونگ از این فناوری در محصولات خود استفاده کرده است اما در سال 2015 اینتل نیز به طور جدی شروع به کار خواهد کرد.

فناوری جدید 3D NAND به تولید کنندگان این امکان را می دهد تا لایه های درون تراشه حافظه را به صورت سه بعدی و روی هم قرار دهند تا فضای کمتری اشغال شود و در نتیجه ظرفیت ذخیره سازی به مراتب بالاتر رود. بنا به گفته Intel تراشه های جدید 256 گیگابیتی MLC NAND از 32 لایه تشکیل خواهند شد (32 گیگابایت) که البته بعدها به صورت تراشه های 384 گیگابیتی TLC هم در دسترس خواهند بود. اینتل ادعا می کند این تراشه ها از بالاترین سرعت در ازای اندازه تراشه بهره خواهند برد و سامسونگ هم همین ادعا را برای تراشه های 86 گیگابیتی خود دارد. با این وجود در حال حاضر این سامسونگ است که با فناوری V-NAND در حال حاضر کوچکترین تراشه های حافظه های SSD را می سازد.

هر دو شرکت سامسونگ و اینتل اعلام کرده اند نسل جدید تراشه ها از اندازه بزرگتری برخوردار خواهد بود چرا که ساختمان حافظه های NAND به گونه ایست که با کوچک تر شدن معماری تراشه با وجود اینکه به ظرفیت اضافه می شود اما از کارآیی آن کاسته می شود. بنابراین در ساخت این گونه تراشه ها نمی توان از حدی فراتر رفت. سامسونگ در حال حاضر از معماری 40 نانومتری در تراشه های 3D NAND خود استفاده کرده است اما با این حال هنوز بر روی تراشه های دوبعدی با معماری 14 نانومتری خود برای حافظه های DRAM کار می کند که البته اینتل و شرکت Micron هم به طور موازی بر روی معماری 16 نانومتری در تراشه های 2D NAND فعالیت می کنند.

اما بازگشت به حافظه های NAND با معماری 40 نانومتری این امکان را برای سامسونگ به وجود آورد تا مطمئن ترین و سریع ترین حافظه SSD جهان یعنی 850 Pro را تولید کند و این قضیه اینتل را نیز مجبور به حرکت کرده است. بازگشت به معماری 32 نانومتری کارآیی و درصد خطای کمتری را نسبت به معماری 16 نانومتری به دنبال خواهد داشت. در یکی دو سال گذشته سعی شده است کارآیی درایو های TLC در چرخه P/E که از نظر تئوری یک چرخه کامل بازخوانی، ذخیره و حذف اطلاعات محسوب می شود بالاتر برده شود اما با معماری 40 نانومتری می توان همان درصد کارآیی و اطمینان که در حافظه های MLC با معماری 16 نانومتری در دسترس است را به راحتی بدست آورد.

باید یادآور شد که حافظه های NAND به طور معمول از سه نوع ساختار سلولی SLC, MLC و TLC استفاده می کنند که نوع TLC از تظر قیمت برای کاربران معمولی مقرون به صرفه است اما از نظر عمر مفید پایین تر از دو مدل دیگر است. اگرچه اینتل هنوز خبر قطعی از زمان تولید و یا عرضه حافظه های SSD جدیدی با ظرفیت 10 ترابایت و بالاتر ارائه نداده اما شرکت سامسونگ ادعا کرده در آینده نزدیک حافظه های جدیدی را تولید خواهد کرد که به جای 32 لایه از 100 لایه حافظه به طور روی هم انباشته استفاده خواهد کرد که ظرفیت مشابهی با آنچه که اینتل اعلام کرده در اختیار قرار خواهد داد. با وجود اینکه ورود توشیبا هم به این عرصه بسیار محتمل است اما به هر حال گمان نمی رود این گونه حافظه ها زودتر از 5 سال آینده به بازار عرضه شوند.

شهر سخت افزار